Transistor IGBT double FF150R12KE3G module de commutation haute tension

Technologie de commutation semi-conductrice pour réseaux industriels

En tant qu'élément central de la conversion d'énergie, le transistor en boîtier de type FF150R12KE3G combine les avantages de la commande simple des transistors à effet de champ avec la capacité de conduction élevée des transistors bipolaires. Cette synergie technique permet de piloter des charges inductives lourdes avec une tension de commande de grille standard, simplifiant ainsi la conception de la carte de pilotage de vos installations électriques.

Une isolation galvanique pour une sécurité accrue

La sécurité des opérateurs et du matériel informatique de contrôle repose sur l'isolation du module de puissance. La structure interne du FF150R12KE3G_B2 intègre un substrat en céramique isolante qui sépare les composants sous tension de la carcasse métallique de la machine. Cela évite les fuites de courant vers la terre et protège les automates programmables branchés sur le même réseau d'alimentation.

Tableau des performances thermiques

Grâce à ces paramètres rigoureux, le composant FF150R12KE3G-B2 s'adapte aux contraintes des centrales de cogénération, des parcs photovoltaïques et de l'électronique embarquée dans les transports lourds, garantissant un contrôle précis de l'énergie à chaque instant de son utilisation.